2024年2月20日，我國(guó)九峰山實(shí)驗(yàn)室成功研發(fā)并下線了首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，這一突破性成果標(biāo)志著我國(guó)在硅基化合物光電集成技術(shù)領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的步伐。

此次研發(fā)的8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，是通過(guò)將8寸SOI硅光晶圓與8寸鈮酸鋰晶圓鍵合，實(shí)現(xiàn)單片集成光電收發(fā)功能，代表了目前全球硅基化合物光電集成的最先進(jìn)技術(shù)。這一成果不僅可實(shí)現(xiàn)超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規(guī)模制造，而且其綜合性能也是目前全球最優(yōu)的光電集成芯片。

九峰山實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合重要產(chǎn)業(yè)合作伙伴，基于8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，成功研發(fā)出與之匹配的深紫外(DUV)光刻、微納干法刻蝕及薄膜金屬工藝，實(shí)現(xiàn)了低損耗鈮酸鋰波導(dǎo)、高帶寬電光調(diào)制器芯片、高帶寬發(fā)射器芯片的集成。這為薄膜鈮酸鋰光電芯片的研制與超大規(guī)模光子集成提供了一條極具前景的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)路線，為高性能光通信應(yīng)用場(chǎng)景提供了工藝解決方案。

近年來(lái)，隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能等行業(yè)的快速發(fā)展，光子集成技術(shù)受到了廣泛關(guān)注。鈮酸鋰以其大透明窗口、低傳輸損耗、良好的光電/壓電/非線性等物理性能以及優(yōu)良的機(jī)械穩(wěn)定性，被認(rèn)為是理想的光子集成材料。而單晶薄膜鈮酸鋰則為解決光子集成芯片領(lǐng)域長(zhǎng)期存在的低傳輸損耗、高密度集成以及低調(diào)制功耗需求提供了綜合性能最優(yōu)的解決方案。

此次九峰山實(shí)驗(yàn)室的成功研發(fā)，不僅驗(yàn)證了我國(guó)在光子集成技術(shù)領(lǐng)域的實(shí)力，也為我國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。我們相信，隨著調(diào)制速率要求的提高，薄膜鈮酸鋰的優(yōu)勢(shì)將更加明顯，將為未來(lái)的通信技術(shù)帶來(lái)巨大的潛力。

光潤(rùn)通科技作為我國(guó)光通信領(lǐng)域的重要企業(yè)，一直致力于推動(dòng)我國(guó)光通信技術(shù)的發(fā)展。我們對(duì)此項(xiàng)突破性成果感到歡欣鼓舞，并將繼續(xù)與行業(yè)同仁一起，推動(dòng)我國(guó)光通信技術(shù)的進(jìn)步，為我國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

預(yù)計(jì)2025年后，薄膜鈮酸鋰將逐漸商業(yè)化，全球范圍內(nèi)薄膜鈮酸鋰調(diào)制市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2029年達(dá)到20.431億美元，在2023到2029年期間復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá)到41%。我們相信，隨著基于鈮酸鋰的光源、光調(diào)制、光探測(cè)等重要器件的實(shí)現(xiàn)，鈮酸鋰光子集成芯片有望成為高速率、高容量、低能耗光學(xué)信息處理的重要平臺(tái)，在光量子計(jì)算、大數(shù)據(jù)中心、人工智能及光傳感激光雷達(dá)等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

光潤(rùn)通科技將密切關(guān)注這一領(lǐng)域的發(fā)展，共同推動(dòng)我國(guó)光子集成技術(shù)的發(fā)展，為我國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)的繁榮做出更大貢獻(xiàn)。